Universidade Federal do Espírito Santo

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Informações Gerais
Disciplina:
MICROELETRÔNICA ( ELE16012 )
Unidade:
Departamento de Engenharia Elétrica
Tipo:
Optativa
Período Ideal no Curso:
Sem período ideal
Nota Mínima para Aprovação:
5.00
Carga Horária:
45
Número de Créditos:
3

Objetivos
Compreender o processo de fabricação em tecnologia CMOS;  conhecer as regras de projeto (layout) bem como usar as ferramentas básicas de layout; conhecer e utilizar ferramentas de verificação  de erros e extração de esquemáticos; e simulação lógica e elétrica; conhecer uma linguagem de descrição de hardware e ferramentas de síntese e layout automático usando bibliotecas de células; entender o conceito de projeto para testabilidade.

Ementa
Fabricação de diodos e transistores. Tecnologia de circuitos integrados. Metodologia de projeto. Tecnologias de suporte. Dispositivos de microondas.

Bibliografia
1. UYEMURA, John P. Introduction to VLSI circuits and systems. New York, N.Y.: John Wiley & Sons, 2002.  2. WESTE, Neil H. E.; HARRIS, David Money. CMOS VLSI design: a circuits and systems perspective. 4th ed. Boston: Addison-Wesley, 2011.  3. WESTE, Neil H. E.; ESHRAGHIAN, Kamran. Principles of CMOS VLSI design: a systems perspective. 2nd ed. -. Reading: Addison-Wesley, c1993.

Bibliografia Complementar
1. HALL, Stephen H.; HECK, Howard L. Advanced signal integrity for high-speed digital designs. Hoboken, N.J.: J. Wiley, 2009.  2. MONTEIRO, Davies William de Lima. CMOS-based integrated wavefront sensor. Delft, Neth.: Delft University Press, 2002.  3. BAKER, R. Jacob.; BOYCE, David E.; LI, Harry W. CMOS: circuit design, layout, and simulation. New York, N.Y.: IEEE Press, 1998. 4. KANG, Sung-Mo; LEBLEBICI, Yusuf. CMOS digital integrated circuits: analysis and design. 2nd ed. Boston: WCB/McGraw-Hill, 1999. 5. MARTINO, João Antonio.; PAVANELLO, Marcelo Antonio.; VERDONCK, Patrick Bernard. Caracterização elétrica de tecnologia e dispositivos MOS. São Paulo: Pioneira Thomson Learning, 2004.
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